来源：pg电子游戏pg电子下载 发布时间：2026-05-19 15:54:13
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碳化硅列为AI领域最被低估的核心主线年，AI数据中心将吃掉碳化硅市场近一半的份额，而
报告发布后，美股Wolfspeed大涨，A股碳化硅板块这两天也集体异动。为什么市场对这份报告反应如此剧烈？
那么，这次Citrini对碳化硅的判断，究竟是又一次精准的前瞻，还是过于激进的推演？
800V高压平台的普及，使碳化硅主驱逆变器成为提升充电速度和能效的核心技术。据弗若斯特沙利文数据，2025年碳化硅在新能源车主驱逆变器中的渗透率已超过30%，
AI芯片功耗正快速攀升，英伟达B200已超过1000W，下一代Rubin平台预计将进一步走高。传统数据中心普遍采用的54V/48V电源架构，在兆瓦级负载下面临巨大的配电损耗与散热压力，行业正加速向800V高压直流架构过渡，而碳化硅功率器件是实现这一跨越的核心硬件。
2025年5月，英伟达已宣布数据中心电源架构将从当前的54V机架供电向800V高压直流过渡，目标2027年实现规模化商用。相比硅基IGBT，碳化硅MOSFET的开关损耗仅为前者的十分之一，耐压能力更强，可在相同市电容量下支撑更高比例的AI负载。据估算，一座10万卡规模的智算中心，从硅基切换至碳化硅方案，仅电力基础设施的投资差异即可达数亿元。
当单芯片功耗突破1000W，传统硅中介层的导热能力已逼近物理极限。台积电正将大尺寸CoWoS先进封装列为核心战略，规划在2026年、2027年分别推出5.5倍与9.5倍光罩尺寸方案，以支持12层HBM及多芯片集成。
碳化硅的热导率是硅的3倍，同时具有与硅接近的热膨胀系数，可以在高效散热的同时减少封装翘曲，提升大尺寸芯片的封装良率。台积电在2025年第四季度法说会上已释放出SiC在先进封装中作为散热关键材料的应用取得突破性验证的信号。据长江证券预测，台积电CoWoS产能2026年将达100万片每月，若30%采用碳化硅方案，潜在空间超10亿美元。这一方案若实现产业化，碳化硅的角色将从“功率开关材料”延伸为“先进封装功能材料”，单颗芯片的价值量可能从几美元跃升至几十甚至上百美元。
这一判断是否过于乐观，取决于技术验证和产能爬坡的节奏，但至少指明了产业增长的新方向。
这家美股公司专注于硅碳化物材料和电源应用设备，曾长期被视为行业的“技术灯塔”：最早量产6英寸衬底，最早建成8英寸晶圆厂，导电型衬底市场占有率一度超过60%。
其财报显示，在2024财年，资本支出高达21亿美元，营收却仅8.07亿美元，新建的8英寸晶圆厂和材料厂产能利用率长期低于20%，巨额折旧与运营费用最终压垮了现金流。
2025年6月，Wolfspeed申请Chapter 11破产保护。三个月后，公司完成一轮“减重手术”：债务削减约70%，关闭达勒姆150毫米器件工厂，裁员三分之一，无限期暂停德国萨尔州项目。2026年5月发布的第三季度财务报表显示，账面现金回升至12亿美元，净债务降至5.55亿美元，财务结构显著修复。但运营端远未止血：非GAAP毛利率为-20.6%，经营现金流净流出8400万美元。更关键的是，8英寸莫霍克谷工厂产能利用率仍处低位，单位折旧与经营成本居高不下。
：2026年1月成功生产出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆；3月推出业界首款商用10kV SiC MOSFET；同时推出专为AI数据中心机架电源设计的新一代封装方案。AI数据中心相关业务已连续多个季度环比增长约30%，成为当下唯一保持高增的细分市场。然而，这一体量尚不足以扭转整体亏损。
Wolfspeed的案例为我们揭示了一个残酷事实：在碳化硅赛道，先发技术优势并不等于商业壁垒。当成本结构失控、产能节奏失当、下游需求切换时，即便是行业奠基者也难逃流动性危机。
8英寸衬底相比6英寸，可将有效芯片数量提升约90%，单位芯片成本降低30%以上。能否实现8英寸高良率量产，是衬底厂商进入主流供应链的关键门槛。
据日本富士经济2026年3月发布的报告，2025年全球导电型碳化硅衬底市场中，中国厂商合计份额已超过40%。其中，天岳先进以27.6%的份额位居全球第一，8英寸市场占有率为51.3%。在更大尺寸层面，天岳先进2025年年报显示，公司已完成12英寸导电型和半绝缘型技术攻关，并获得客户订单交付。据其披露，其已与英飞凌、博世、罗姆等全球前十大功率半导体器件制造商中的半数以上建立合作伙伴关系。2025年全年，天岳先进碳化硅产品产量折合69.04万片，同比增长68.31%。
天科合达2025年初实现导电型SiC衬底累计百万片级出货，并已获得多家国内外头部企业8英寸外延中小批量订单。晶盛机电已备案60万片8英寸衬底产能，宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片项目已开工建设。
全球SiC外延片市场已形成“头部引领、本土崛起”的竞争格局。根据灼识咨询的报告，瀚天天成作为全球首家实现8英寸SiC外延片大批量外供的企业，以31.6%的全球市场占有率位居全球前列。自2023年来，瀚天天成即是全球最大的碳化硅外延供货商。而天域半导体在中国市场以30.6%的收入占比成为行业领军者之一。
但部分车规级碳化硅模块已进入国内主流车企供应链，少数公司开始向海外Tier 1供货。公开信息数据显示，在代工环节，国内最大碳化硅器件代工厂的6英寸CP良率已提升至94%以上。
公开多个方面数据显示，2022年1万多一片的6英寸导电型碳化硅衬底，到2025年一度跌破2000元关口。价格战的根源在于供需错配：下游新能源汽车增速放缓，而中国衬底产能以每年翻倍的速度扩张。
它加速了低效产能的出清，迫使企业在降本上极致挖掘，最终拉低了碳化硅器件的应用门槛。海外大厂缩减产能，国内的产能扩张也放缓节奏，低端产能加速淘汰，高端产能则相对稀缺。2025年，部分消费级SiC MOSFET器件单价已显著下探，逼近甚至低于硅基超结MOSFET的价位：这在某种程度上预示着碳化硅正在从“高端选配”走向“成本可接受”的广泛市场。
据晶升股份2026年4月发布的投资者交流记录，碳化硅衬底市场已释放出明确复苏信号：6英寸碳化硅衬底价格会出现较大幅度反弹，8英寸产品价格止跌企稳并小幅上涨，部分衬底厂商已收到下游客户新增订单需求，行业供需格局得到明显改善。天岳先进在2026年3月的投资者调研中亦表示，过去两年碳化硅衬底行业经历了充分的价格调整，目前6英寸产品价格已逐步进入相对来说比较稳定区间，8英寸产品价格亦明显企稳，行业正从价格调整阶段转向“价格趋稳、需求扩容”的新阶段。
新能源汽车仍是占比最大的基本盘，800V平台的渗透率持续提升。在AI数据中心领域，英伟达已明确数据中心正从当前的54V机架供电向800V高压直流架构过渡，目标是2027年实现规模化商用，以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。SiC器件凭借极低的开关损耗和耐高压特性，能让服务器电源转换效率突破96%甚至向99%迈进，在相同市电容量下可多支撑50%的AI负载。光伏储能领域，200kW以上组串式逆变器中SiC的渗透率已超过60%。此外，先进封装散热正在成为增量最快的新引擎，英伟达正评估新一代Rubin平台中将CoWoS封装的硅中介层替换为碳化硅的方案，若该方案确立，每一颗高端AI处理器都将内置SiC材料。
Wolfspeed重组导致部分海外产能阶段性停摆，国内头部衬底厂满产，但全行业产能利用率仅约48.8%。随着AI相关需求在2026年下半年进一步释放，全球碳化硅衬底市场可能从“供给过剩”转向“结构性偏紧”，尤其是在8英寸及以上大尺寸衬底领域。而8英寸衬底作为当前中国企业的核心优势阵地，有望率先迎来需求放量。
6英寸价格虽已触底反弹，但国内衬底总产能仍远超需求。若8英寸放量过快、下游增速没有到达预期，价格战可能复燃。头部企业可向8英寸升级避险，中小产能压力更大。
产业正加速从6英寸向8英寸、12英寸演进，沟槽型MOSFET逐步替代平面型。12英寸良率爬坡与沟槽工艺成熟度均存不确定性。全球约90%的核心专利仍由美日企业持有，中国企业拓展高端市场面临知识产权壁垒。
美国对华半导体设备出口管制持续升级，碳化硅作为战略材料，处于大国博弈焦点。
AI需求正从概念走向订单，8英寸量产重塑成本曲线，全球供应链“东移”趋势大概率不可逆转。Wolfspeed的重组与再出发，以及中国产业链的快速崛起，共同描绘了碳化硅产业的新图景。
Citrini AI供应链报告（2026年5月）、华源证券、长江证券、中信证券、摩根士丹利
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